ENJ2010 IGBT便攜式半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

系統(tǒng)概述：

IGBT作為目前主流的電力半導(dǎo)體開關(guān)器件，已廣泛應(yīng)用于電力電子相關(guān)行業(yè)，一臺(tái)輕巧便攜的測(cè)試儀就顯得尤為重要。便攜式IGBT測(cè)試儀，是一種全新的功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試儀器，可用于額定電流在2-100A的IGBT和MOS管主要靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試。儀器與配套電腦連接使用，通過友好人機(jī)界面操作，便于各 測(cè)試參數(shù)的組合、數(shù)據(jù)結(jié)果以表格形式呈現(xiàn)，具有使用便捷、測(cè)試精度高等優(yōu)點(diǎn)，適合于各測(cè)試器件使用現(xiàn)場(chǎng)及產(chǎn)線維護(hù)場(chǎng)合使用。

該測(cè)試系統(tǒng)具有如下特點(diǎn)： 

該測(cè)試系統(tǒng)是一套綜合參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)設(shè)備自身的抗干擾能力要求較高，因此難度比較 大； 

該測(cè)試系統(tǒng)采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試； 

該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為 EXCEL 文件進(jìn)行處理。 

該測(cè)試系統(tǒng)主要由以下部分組成： 

柵極-發(fā)射極漏電流測(cè)試單元 

柵極-發(fā)射極閾值電壓測(cè)試單元 

集電極-發(fā)射極電壓測(cè)試單元 

集電極-發(fā)射極飽和電壓測(cè)試單元 

二極管壓降測(cè)試單元 

二極管反向擊穿電壓測(cè)試單元

ENJ2010 IGBT便攜式半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

測(cè)試范圍/Test range